电沉积法制备用于一维纳米材料电子输运性质测量的基底

• 作者: 刘进轩 向娟 毛秉伟 田中群
• 来源期刊: 电化学
• 学科: 化学
• 关键词: 一维纳米材料 CT-AFM I-E特性曲线 碳纳米管
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 20-26
• 页数: 7页
• 分类号: O646
• 字数: 2666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3471.2004.01.006

摘要

应用电沉积方法制备两种低粗糙度、具有导电/绝缘交接结构的测量基底-Au/CuO和HOPG/CuO,并在带导电针尖的原子力显微测量(CT-AFM)平台上建立了简便的一维纳米材料轴向电子输运性质测量方法. 在大气室温条件下,对组装在两种基底上的单束碳纳米管轴向电学性质进行了定性测量,结果表明,该碳纳米管呈现金属性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田中群	固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系	9	265	5.0	9.0
2	刘进轩	固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系	1	2	1.0	1.0
3	向娟	固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系	1	2	1.0	1.0
4	毛秉伟	固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系	4	26	2.0	4.0