多晶碘化汞膜的PVD法制备及其光电特性

• 作者: 史伟民 徐菁 潘美军 葛艳辉 邱永华 雷平水
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶 碘化汞 物理气相沉积 探测器
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 493-495,498
• 页数: 4页
• 分类号: O782.7
• 字数: 2636字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.06.023

摘要

用改进的热壁物理气相沉积(HWPVD)装置制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试和电容频率特性测试.结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2 V/μm时,暗电流为25 pA/mm2)和较小的电容(约1 pF),可用于实际应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史伟民	上海大学材料科学与工程学院	56	313	10.0	14.0
2	雷平水	上海大学材料科学与工程学院	5	38	4.0	5.0
3	邱永华	上海大学材料科学与工程学院	6	57	4.0	6.0
4	葛艳辉	上海大学材料科学与工程学院	4	25	3.0	4.0
5	徐菁	上海大学材料科学与工程学院	6	24	3.0	4.0
6	潘美军	上海大学材料科学与工程学院	4	30	3.0	4.0