基于InGaP/GaAs HBT的10Gbps跨阻放大器

• 作者: 刘新宇 吴德馨 孙海锋 袁志鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 跨阻放大器 HBT 10Gbps InGaP
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1591-1594
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1323字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.009

摘要

采用InGaP/GaAs HBTs设计并实现了传输速率为10Gbps的跨阻放大器.在电路设计上采用两级放大器级联的形式以提高跨阻增益,在第一级采用了cascade结构,第二级采用了cherry hooper结构以提高电路的带宽和稳定性.测试结果表明,跨阻增益为40dB·Ω and 3dB带宽为10GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海锋	中国科学院微电子研究所	12	45	4.0	6.0
2	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
3	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
4	袁志鹏	中国科学院微电子研究所	11	33	3.0	5.0