三相载流导体在箱盖上引起的功率损耗

• 作者: 徐元中 程琼 钟思正 钟悦
• 来源期刊: 变压器
• 关键词: 变压器 套管 磁场强度 有功损耗
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 设计计算
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TM402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8425.2004.08.007

摘要

对三相载流导体所穿越的材料上产生的磁场强度进行了计算,求得了磁场强度极大值和有功损耗值,并给出了表示有功损耗表面分布状态的曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程琼	湖北工业大学信息工程学院	52	236	9.0	12.0
2	钟思正	湖北工业大学信息工程学院	7	8	1.0	2.0
3	徐元中	湖北工业大学信息工程学院	16	24	3.0	4.0
4	钟悦		2	2	1.0	1.0