RF反应溅射法制备NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结研究

• 作者: 唐晓莉 张万里 张怀武 彭斌 蒋洪川
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁性隧道结 RF反应溅射 隧道磁电阻
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 磁功能材料及其应用
• 页码范围: 772-774
• 页数: 3页
• 分类号: O482.54
• 字数: 1527字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.216

摘要

采用RF反应溅射法制备了室温下TMR值达6.5%的NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结.样品制备采用一系列的掩模,Al2O3层的制备采用RF反应溅射并原位热氧化方法,隧道结的面积为0.2mm×0.2mm.样品的Ⅰ-Ⅴ特性曲线说明了样品中隧道效应的存在,利用XPS分析了样品界面特性及样品成分随膜厚的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张怀武	电子科技大学微电子与固体电子学院	294	2211	20.0	32.0
2	蒋洪川	电子科技大学微电子与固体电子学院	74	586	12.0	19.0
3	张万里	电子科技大学微电子与固体电子学院	142	705	13.0	17.0
4	彭斌	电子科技大学微电子与固体电子学院	87	638	12.0	21.0
5	唐晓莉	电子科技大学微电子与固体电子学院	38	272	10.0	15.0