C/SiC复合材料与CVD SiC涂层的结合性能研究

• 作者: 刘晓阳 刘荣军 张玉娣 张长瑞
• 来源期刊: 航空材料学报
• 关键词: C/SiC复合材料 热膨胀系数 匹配 CVDSiC涂层
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 27-29
• 页数: 3页
• 分类号: TQ342.742
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-5053.2004.04.007

摘要

采用先驱体转化法(PIP方法)制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过调整多孔预制件的体积密度制备出不同组分比的C/SiC复合材料.结果显示,C/SiC复合材料的热膨胀系数随着复合材料中SiC含量的增加而增加,其与CVD SiC涂层之间的热匹配也相应增加,通过CVI方法制备梯度过渡层,在C/SiC复合材料表面制备出致密度较高的CVD SiC涂层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞		8	59	5.0	7.0
2	刘荣军		2	6	1.0	2.0
3	张玉娣		2	9	2.0	2.0
4	刘晓阳		1	5	1.0	1.0