基区重掺杂对突变AlGaAs/GaAs HBT电学性能的影响

• 作者: 任晓敏 周守利 崇英哲 黄永清
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 热场发射扩散 能带变窄效应 Jain-Roulston模型
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 489-492
• 页数: 4页
• 分类号: TN325
• 字数: 1934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.06.022

摘要

基区重掺杂不仅使基区能带发生变窄效应(BGN),且使突变结界面势垒形状及高度均发生了扰动,这两种因素都对电流输运特性产生重要的影响.基于热场发射-扩散模型,分析了基区重掺杂突变AlGaAs/GaAs HBT中的电流传输特性.结果表明:为了精确描述电流传输,必须考虑突变结界面势垒形状及高度扰动所引起的电流变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永清	北京邮电大学光通信中心	196	987	13.0	18.0
2	任晓敏	北京邮电大学光通信中心	189	942	13.0	18.0
3	崇英哲	北京邮电大学光通信中心	10	49	4.0	6.0
4	周守利	北京邮电大学光通信中心	6	13	2.0	3.0