亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制

• 作者: 刘文安 张兴 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 侧墙图形转移技术 固相扩散 源漏扩展区
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 583-588
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 4825字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.05.020

摘要

利用侧墙图形转移实现亚0.1μm栅线条,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现CMOS晶体管超浅源漏扩展区,并且将二者有机结合起来,成功实现了栅长约为84.6nm的CMOS器件和电路.报道了利用重掺杂多晶硅固相扩散同时实现CMOS源漏扩展区的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	刘文安	北京大学微电子学研究所	1	6	1.0	1.0