α-Al2O3基片(0001)表面及其对ZnO吸附位置研究

• 作者: 刘兴钊 刘永华 张鹰 李言荣 杨春 陶佰万
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 化学
• 关键词: α-Al2O3 (0001) 表面 吸附生长 ZnO
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 5-10
• 页数: 6页
• 分类号: O793|O647
• 字数: 5999字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.01.002

摘要

建立了一种2×2α-Al2O3 (0001)基片表面吸附ZnO模型,在周期边界条件下的k空间中,采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法,对α-Al2O3 (0001)基片表面结构及其ZnO分子在表面最初吸附生长位置进行了计算研究.由于较大的表面弛豫,使得氧原子全部暴露于基片最外表面,明显地表现出O原子电子表面态;驰豫后的表面能对ZnO分子产生较强的化学吸附,表面电子结构将发生明显的变化,其表面最优吸附生长点的方位正好偏离α-Al2O3 (0001)表面氧六角对称30°;并计算了这些吸附生长点处Zn与表面O的结合能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹰	电子科技大学微电子与固体电子学院	47	169	7.0	9.0
2	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
3	杨春	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	313	10.0	16.0
5	刘兴钊	电子科技大学微电子与固体电子学院	56	310	9.0	14.0
8	刘永华	中国工程物理研究院化工材料研究所	7	119	5.0	7.0
9	陶佰万	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	7	1.0	1.0