用MOCVD方法制备的GaN1-xPx三元合金的喇曼与红外光谱

• 作者: 张开骁 张荣 施毅 李志锋 沈波 郑有炓 陆卫 陈敦军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN1-xPx MOCVD 喇曼 红外反射
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2129字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.01.009

摘要

采用光辐射加热低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长了高P组分的GaN1-x-Px三元合金薄膜,通过喇曼光谱和红外反射谱技术研究了GaN1-xPx合金中P掺杂所引入的振动模.与非掺P的GaN相比,在GaN1-xPx合金的喇曼谱和红外反射谱中分别观测到了多个由P所引入的振动模,文中将它们分别归因于Ga-P键振动引起的准局域模、间隙模以及P掺入造成的局部晶格无序激活的振动模.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	95	442	12.0	16.0
2	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
3	李志锋	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	37	186	8.0	12.0
4	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
5	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
6	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
7	陈敦军	南京大学物理系	17	44	3.0	5.0
8	张开骁	南京大学物理系	5	10	2.0	2.0