包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性

• 作者: 刘益春 刘英麟 吕有明 张吉英 张振中 王颖 申德振 范希武
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积 光致发光 硅团簇 量子限制效应
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 705-709
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 3298字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.06.018

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在低温下制备了富硅氢化氮化硅薄膜.利用红外吸收(IR)谱,光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)谱,研究了在不同温度下退火的薄膜样品的结构和发光特性.在经过低温退火的薄膜中观测到一个强的可见发光峰.当退火温度较高时,随着与硅悬键有关的发光峰消失,可见发光峰位发生了蓝移.讨论了退火对薄膜中硅团簇的形成及其对发光的影响.根据Raman谱,计算了氮化硅薄膜中硅团簇的尺寸大小.通过实验结果和分析,我们认为PL谱中较强的室温可见发光峰来自于包埋于氮化硅中的硅团簇.