RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

• 作者: 刘宏新 刘新宇 刘键 孔梅影 孙殿照 曾一平 李晋闽 林兰英 王军喜 王晓亮 胡国新 钱鹤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 氮化镓 场效应晶体管 RF-MBE
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 121-125
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.02.001

摘要

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz.