电子束蒸发在Si衬底上制备MgB2超导薄膜

• 作者: 张义邴 朱红妹 熊文杰 高召顺
• 来源期刊: 低温与超导
• 关键词: 超导薄膜 电子束蒸发 原位热处理
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 51-52,59
• 页数: 3页
• 字数: 1994字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2004.02.013

摘要

利用电子束蒸发法在Si(111)衬底上制备了MgB2超导薄膜.首先在衬底上按照1:2的原子比交替蒸发Mg和B,所形成的夹层先驱膜在150Pa 99.99%Ar气氛下进行原位热处理630℃×30min.实验发现超导薄膜在正常态下无半导体电阻特性,超导起始转变温度为24.7K,零电阻温度为16.5K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高召顺	上海大学理学院物理系	4	6	2.0	2.0
2	张义邴	上海大学理学院物理系	23	42	3.0	5.0
3	朱红妹	上海大学理学院物理系	12	18	2.0	4.0
4	熊文杰	上海大学理学院物理系	2	5	2.0	2.0