先驱体法制备Pb1-xSrx(Mn1/3Sb2/3)aZrbTicO3压电陶瓷的压电和介电性能

• 作者: 吴裕功 吴霞宛 郭向华
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 先驱体法 锑锰锆钛酸铅 压电陶瓷 锶取代 压电性能 介电性能
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 电子陶瓷
• 页码范围: 13-15
• 页数: 3页
• 分类号: TM22+.1
• 字数: 2320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.02.005

摘要

采用先驱体法制备了Pb1-xSrx(Mn1/3Sb2/3)aZrbTicO3压电陶瓷.通过XRD研究表明,随着Sr2+取代量的增加,相界向富锆方向移动,并改善了相界附近组分的压电性能和介电性能.与传统的固相合成制备工艺相比,先驱体法制备的陶瓷具有优良的压电性能,所得样品的综合性能:εr为1 791,tgδ为0.003 5,d33为454×10-12C·N-1,kp为0.61.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴霞宛	天津大学电子信息工程学院	52	469	11.0	19.0
2	吴裕功	天津大学电子信息工程学院	18	231	7.0	15.0
3	郭向华	天津大学电子信息工程学院	4	16	3.0	4.0