MgZnO薄膜及其量子阱和超晶格的发光特性

• 作者: 孙征 张德恒 张锡健 王卿璞
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgZO薄膜 量子阱 超晶格 光致发光 受激发射
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 111-116
• 页数: 6页
• 分类号: O472.3
• 字数: 4036字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.02.001

摘要

MgO和ZnO形成合金MgxZn1-xO的带隙可以在3.3～7.9 eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景.由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/MgxZn1-xO量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价值.回顾最近几年对MgZnO薄膜材料发光特性的研究进展,介绍在不同衬底上用不同方法制备MgZnO合金薄膜的制备技术、发光特性以及发光特性与薄膜中Mg含量的关系;综述近年来在ZnO/MgxZn1-xO超晶格、量子阱研究上的成果,特别介绍了ZnO/MgxZn1-xO超晶格、量子阱的发光特性、发光机理以及发光特性与势垒层镁含量、器件温度的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张德恒	山东大学物理与微电子学院	18	450	12.0	18.0
2	王卿璞	山东大学物理与微电子学院	32	527	13.0	22.0
3	张锡健	山东大学物理与微电子学院	18	195	7.0	13.0
4	孙征	山东大学物理与微电子学院	3	50	2.0	3.0