一种改进的硅片薄层电阻及其均匀性表征方法

• 作者: 刘东升 刘新福 孙以材
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: Rymaszewski法 等值线图 薄层电阻
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 594-597
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 2307字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.042

摘要

概述了微区电阻测试方法及其均匀性表征方法的应用,利用自主研制的斜置式方形四探针微区薄层电阻测试仪,对P型硅芯片进行了无图形Rymaszewski法测试,在3寸芯片上测试了598个366 μm×366 μm 方形微区的薄层电阻,并用等值线图表示了其分布,得到了薄层电阻的不均匀度及平均值,这种微区薄层电阻表示方法适用于评价材料质量及改进制造工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙以材	河北工业大学微电子技术与材料研究所	117	1247	18.0	31.0
2	刘新福	河北工业大学微电子技术与材料研究所	39	354	9.0	17.0
3	刘东升	河北工业大学微电子技术与材料研究所	11	159	4.0	11.0