不同基片对溅射制备MgTiO3-CaTiO3薄膜的影响

• 作者: 余厉阳 王德苗 董树荣 金浩
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 微波介质陶瓷 MCT 介质薄膜 射频溅射
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 专题论述
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: O484.8|TB43
• 字数: 3932字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2004.02.007

摘要

微波介质器件的薄膜化已经成为微波器件的一个研究热点,本文从微波介质陶瓷薄膜化角度在不同低介电常数的介质衬底上溅射制备了MCT陶瓷薄膜,实验结果表明:(110)晶面的单晶SiO2片上的可以在较低温度(610℃)下获得良好结晶情况,介电特性可以和块状材料的多晶MCT陶瓷薄膜相媲美.随着衬底温度升高,薄膜晶体结构逐步由游离MgO向微晶MCT、多晶MCT到粗大的柱状晶MCT变化.较好沉积温度是610℃～650℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董树荣	浙江大学信电系	51	627	14.0	23.0
2	王德苗	浙江大学信电系	66	789	15.0	24.0
3	金浩	浙江大学信电系	27	227	10.0	14.0
4	余厉阳	浙江大学信电系	8	49	4.0	6.0