半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性

• 作者: 施卫 田立强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 光电导开关 击穿机理
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 691-696
• 页数: 6页
• 分类号: TN256
• 字数: 3377字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.015

摘要

研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性.当触发光能量和偏置电场不同时,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型.通过对击穿实验结果的分析认为,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因.偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga-As键的断裂程度,Ga-As键的断裂程度则反映半绝缘GaAs光电导开关的击穿类型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施卫	西安理工大学应用物理系	85	925	17.0	25.0
2	田立强	西安理工大学应用物理系	8	96	5.0	8.0