钴/玻碳离子注入修饰电极伏安法测定呋喃妥因的研究

• 作者: 李荫 蔡沛祥 谭学才 邱建丁 邹小勇
• 来源期刊: 分析化学
• 关键词: Co/GC离子注入修饰电极 呋喃妥因 吸附溶出伏安法
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 930-934
• 页数: 5页
• 字数: 3811字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3820.2004.07.022

摘要

呋喃妥因(NFT)在0.1 mol/L HAc-NaAc (pH 4.0)溶液中于钴/玻碳(Co/GC)离子注入修饰电极上产生一灵敏的伏安还原峰, 峰电位为-0.26 V(vs.Ag/AgCl),峰电流与NFT浓度在6.0×10-8 ～ 5.0×10-6 mol/L范围内呈线性关系(r=0.9987),检出限为1.0×10-8 mol/L.用线性扫描伏安法和循环伏安法研究了NFT的伏安行为、吸附特性和电极反应机理.测定了电子转移数(n=4)、转移系数(α＝0.58)和参与反应的质子数(X = 4)等电化学参数.结果表明该电极过程为一具有吸附性的不可逆过程.该法用于片剂中NFT含量的测定,得到满意的结果.用标准加入法测得该法的回收率为94.0 %～98.5 %.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹小勇	中山大学化学与化学工程学院	83	1011	19.0	28.0
2	蔡沛祥	中山大学化学与化学工程学院	94	1085	18.0	25.0
3	谭学才	中山大学化学与化学工程学院	82	558	14.0	21.0
5	邱建丁	中山大学化学与化学工程学院	22	215	10.0	14.0
6	李荫	中山大学化学与化学工程学院	12	136	4.0	11.0