多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究

• 作者: 倪梦莹 曹小龙 李媛媛 李清山 王会新
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 多孔硅 I-V特性 电致发光
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 308-312
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 3320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.04.014

摘要

制备Al/多孔硅/c-Si/Al结构的多孔硅发光二极管,利用其I-V特性关系,以及在不同温度下其I-V特性的变化,结合多孔硅的特殊微结构及性质,分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程;通过比较其发光猝灭前后J-V特性的变化,解释了发光猝灭的原因.提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合,是提高多孔硅电致发光效率的一个途径.