原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌

• 作者: 牛智川 魏全香
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 原子力显微镜 台阶积累
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 162-164
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2532字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.02.023

摘要

研究了原子氢辅助分子束外延(MBE)中,原子氢对不同晶面GaAs外延层表面形貌特征的诱导作用.原子力显微镜(AFM)测试表明,在GaAs的(311)A和(331)A面,原子氢导致了台阶状形貌的形成.提出了一种简单模型,解释了台阶面形貌形成的物理机制.为最终有序低维纳米表面结构提供了一种实验参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏全香	山西大学物理系	11	28	3.0	5.0
2	牛智川	中国科学院半导体研究所	45	124	5.0	8.0