基于有限元参数化设计的碳纳米管的场致增强因子计算

• 作者: 解滨 陈波
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 电场强度 长径比 场增强因子
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 446-448
• 页数: 4页
• 分类号: TN873.95
• 字数: 1100字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.04.022

摘要

碳纳米管由于尺寸极小,它具有很大的场增强因子,且场发射稳定,这些特性使碳纳米管成为一种性能优良的场致发射材料.影响碳纳米管发射电流的重要参数是场增强因子,这需要求解拉普拉斯方程,由于理论解求解很困难,有限元方法成为一种有效的工具.使用有限元程序ANSYS对碳纳米管的静态电场进行了计算,建立了单根碳纳米管的模型,确定了边界条件.研究了金属型碳纳米管尖端周围的电场强度分布,为了更好地了解碳纳米管顶端附近的电场对长径比的影响,使用了参数化设计语言APDL,使得分析效率大大提高,并且计算结果与实际情况相符.说明这种方法是正确、可靠和高效的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈波	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	167	1116	17.0	24.0
2	解滨	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	3	11	1.0	3.0