C-N化合物薄膜的PE-HFCVD合成研究

• 作者: 刘华平 刘洪刚 程国安 赵勇 郑瑞廷
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: PE-HFCVD C-N 化合物 薄膜
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 475-480
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3374字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2004.04.010

摘要

对等离子体增强热丝化学气相沉积(PE-HFCVD)Si衬底上合成的C-N薄膜进行了研究.利用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜(SEM)等对C-N薄膜的物相、形貌以及沉积层结构进行了分析.结果证实:在Si衬底上能形成了α-C3N4和β-C3N4混合相,且气流中V(NH3):V(CH4)的比值直接影响C-N薄膜中混合相的含量.由于α-C3N4和β-C3N4相之间存在的竞相生长,导致晶粒很难长大,从而形成聚晶结构,每个聚晶由大量的纳米晶组成.还对氮化碳的形核生长进行了一些探讨.