SiO2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响

• 作者: 吴海平 徐静平 韩弼 黎沛涛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC n-MOSFET SiO2/SiC界面 迁移率
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 200-205
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 2781字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.02.016

摘要

提出了一种基于器件物理的4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型.该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应.利用此模型,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素.其中,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率.该模型能较好地应用于器件模拟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学电子科学与技术系	88	358	9.0	13.0
2	黎沛涛	香港大学电机电子工程系	11	77	5.0	8.0
3	韩弼	华中科技大学电子科学与技术系	4	34	4.0	4.0
4	吴海平	华中科技大学电子科学与技术系	5	45	3.0	5.0