器件模拟对AlGaAs/GaAs RTD的特性分析

• 作者: 刘宏伟 李晓云 牛萍娟 郭维廉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管(RTD) 器件模拟 I-V特性曲线 负微分电阻(NDR) 量子阱
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 15-17,28
• 页数: 4页
• 分类号: TN31
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2004.10.003

摘要

使用SILVACO公司的器件模拟软件ATLAS对AlGaAs/GaAs共振隧穿二极管(RTD)进行了器件模拟,得到了不同结构的RTD的I-V特性曲线.对量子阱宽度、掺杂浓度、势垒宽度和高度对RTD的I-V特性的影响进行了详细的分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学信息与通信工程学院	123	617	13.0	17.0
2	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0
3	李晓云	天津工业大学信息与通信工程学院	21	75	4.0	8.0
4	刘宏伟	天津工业大学信息与通信工程学院	17	30	4.0	4.0