神经元MOS的特性分析

• 作者: 余宁梅 杨媛 高勇
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 神经元MOS SPICE模型 浮栅
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 49-53
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 3246字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2004.01.011

摘要

在神经元MOS的基本结构和工作原理的基础上,使用器件的等效电路模型通过HSPICE仿真软件对器件进行模拟,给出了器件的转移特性曲线,得到了器件的"可变阈值"特性,并介绍了该器件在CDMA匹配滤波器及数字PWM发生器中的应用.结果表明,该器件可使电路结构大为简化,器件数目大大减少.最后通过对器件运算精度的分析,得出其运算精度主要受MOS晶体管寄生电容等因素的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学自动化与信息工程学院	189	1184	15.0	26.0
2	杨媛	西安理工大学自动化与信息工程学院	92	559	12.0	19.0
3	余宁梅	西安理工大学自动化与信息工程学院	97	476	11.0	15.0