高精度片上电阻在高速发射器电路中的应用

• 作者: 严晓浪 何乐年 奚剑雄
• 来源期刊: 电路与系统学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高精度片上电阻 传输线特征阻抗 发射器 纯MOS管电阻
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 12-14
• 页数: 3页
• 分类号: TN401
• 字数: 1971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-0249.2004.05.003

摘要

本论文提出了一种新颖的高精度片上电阻的设计方法.该片上电阻器由三个NMOS管组成.通过控制各MOS管的栅电压和宽长比可得到线形度较好的高精度电阻器.用Cadence公司的SPECTRE软件及TSMC公司的0.25(m CMOS混合信号工艺库进行了电路仿真,结果表明有源电阻器能满足USB2.0规范对发射器电路输出阻抗45±10%(的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严晓浪	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	246	1634	19.0	29.0
2	何乐年	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	88	869	16.0	26.0
3	奚剑雄	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	3	12	2.0	3.0