金刚石膜介电性能影响因素的研究

• 作者: 佟玉梅 吕反修 唐伟忠 李成明 杨胶溪 陈广超
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 金刚石 自支撑金刚石膜 杂质 介电性能
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 18-20,26
• 页数: 4页
• 分类号: TM216.3|TQ323.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2004.01.006

摘要

为研究沉积的金刚石膜介电性能的影响规律,用光谱学方法研究了大面积自支撑金刚石厚膜的介电性能以及加入不同含量的氮气对化学气相沉积 (CVD)金刚石膜的介电性能的影响.研究结果表明,随着甲烷浓度( 100～ 200sccm)的增加, CVD金刚石膜的生长速率和非金刚石碳的相对含量增加 ,从而导致膜的介质损耗( tanδ)增加,造成 CVD金刚石膜质量下降.随着沉积温度( 1010～ 1030K)的提高, CVD金刚石膜的介电损耗减小.氮气加入量的增加, CVD金刚石膜的介质损耗增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕反修		151	1208	18.0	24.0
2	唐伟忠		106	860	16.0	21.0
3	陈广超		27	235	9.0	14.0
4	李成明		71	480	12.0	19.0
5	佟玉梅		22	268	10.0	15.0
6	杨胶溪		8	37	4.0	5.0