GaN基紫外光探测器研究进展

• 作者: 冯士维 吕长志 徐立国 谢雪松
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 紫外 探测器 光电二极管
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 411-416
• 页数: 6页
• 分类号: TN36
• 字数: 5799字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.06.001

摘要

介绍了不同类型的GaN基半导体光电探测器的结构和性能,回顾了其发展历史,并且综述了GaN基紫外光电探测器的研究新进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕长志	北京工业大学电子信息与控制工程学院	60	471	12.0	18.0
2	冯士维	北京工业大学电子信息与控制工程学院	59	438	12.0	18.0
3	徐立国	北京工业大学电子信息与控制工程学院	3	22	2.0	3.0
4	谢雪松	北京工业大学电子信息与控制工程学院	66	554	14.0	20.0