InP基片在连续波CO2激光局域加热时的温度上升特性

• 作者: 叶玉堂 吴云峰 吴泽明 杨先明 秦宇伟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP 激光微细加工 激光诱导温度上升
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 956-960
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3905字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.013

摘要

采用聚焦连续波CO2激光束对n型InP基片进行局域加热,并利用专用的温度测量系统对InP基片曝光区的温度分布及温度随时间的变化进行了测量.结果表明,在基片初始温度为室温时,难以得到满足加工所要求的温度上升.增大曝光区面积和对基片预热可以使温度上升的幅度达到要求,但温度的稳定性较差.采用研制的温度控制系统,可方便地得到满足激光微细加工要求的稳定温度上升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴云峰	电子科技大学光电信息学院	106	653	13.0	18.0
2	叶玉堂	电子科技大学光电信息学院	170	1471	17.0	30.0
3	杨先明	电子科技大学光电信息学院	16	114	7.0	10.0
4	秦宇伟	电子科技大学光电信息学院	9	30	3.0	5.0
5	吴泽明	电子科技大学光电信息学院	5	16	2.0	4.0