N+注入对甘草种子萌发和根发育效应及作用机制

• 作者: 余增亮 刘竞男 张婉 王陶 魏胜林
• 来源期刊: 草业学报
• 学科: 农学
• 关键词: 离子注入 甘草 种子萌发 根发育 耐旱特性
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 112-115
• 页数: 4页
• 分类号: S567.7+1|S335.3
• 字数: 3421字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-5759.2004.05.020

摘要

甘草种子注入25 keV,剂量≤4.68×1016 个/cm2 N+对种子萌发的成活率和根发育表现为刺激效应,更高剂量的N+注入表现出"损伤-修复-损伤"的效应趋势,表明离子注入的能量沉积和动量传递效应产生的自由基伤害与质量沉积和电荷的中和效应对自由基的清除是一个动态反应过程.25 keV,4.68×1016 个/cm2 N+注入能提高甘草种子萌发成活率,促进根发育,提高幼苗的耐旱特性,可用于沙漠植被甘草种子的前处理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余增亮	中国科学院等离子体物理研究所	179	4127	35.0	57.0
2	魏胜林		10	313	8.0	10.0
6	张婉	中国科学院等离子体物理研究所中国科学院离子束生物工程学重点实验室	4	34	1.0	4.0
7	王陶	中国科学院等离子体物理研究所中国科学院离子束生物工程学重点实验室	7	109	4.0	7.0
8	刘竞男	中国科学院等离子体物理研究所中国科学院离子束生物工程学重点实验室	2	43	2.0	2.0