GaN外延片中载流子浓度的纵向分布

• 作者: 刘和初 方文卿 李述体 江风益
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅扩散 氮化镓 电化学电容电压
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 505-509
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 4184字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.05.007

摘要

采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布.探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考.还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1 030℃)硅在GaN中的扩散系数,并由此估算了硅在GaN外延片中的扩散宽度.该结果可为GaN外延层结构设计提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方文卿	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	23	200	8.0	13.0
3	刘和初	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	5	69	4.0	5.0
5	李述体	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	12	93	5.0	9.0