CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析

• 作者: 刘维一 周志强 孙云 朴英美 李凤岩 李长健 薛玉明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结 能带边失调值 CIGS OVC 太阳电池
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 841-844
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2524字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.033

摘要

本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值ΔEC、ΔEV.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0～0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周志强	南开大学光电子所	116	369	10.0	16.0
2	孙云	南开大学光电子所	33	390	11.0	19.0
3	刘维一	南开大学光电子所	17	368	11.0	17.0
4	李凤岩	南开大学光电子所	16	135	6.0	11.0
5	李长健	南开大学光电子所	16	191	6.0	13.0
6	薛玉明	南开大学光电子所	9	117	5.0	9.0
7	朴英美	南开大学光电子所	3	36	2.0	3.0