高温快速热处理对氧沉淀消融的作用

• 作者: 李立本 杨德仁 林磊 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 快速热处理 氧沉淀 直拉硅单晶
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1273-1276
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.015

摘要

通过对已经过两步(低-高)退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理,研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况.研究证实:高温快速热处理可以显著地消融氧沉淀,氧沉淀消融的决定性因素是热处理温度.另外,讨论了快速热处理消融氧沉淀的物理机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	李立本	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	94	7.0	9.0
5	林磊	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	8	1.0	2.0