利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法

• 作者: 伊福廷 张菊芳 彭良强 缪鹏 韩勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS SU8胶 微加工 背面曝光
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 276字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.01.005

摘要

提出了一种解决大高宽比SU8结构的新方法.该方法是将SU8胶涂在一块掩模上,紫外光从掩模的背面照射,这样SU8胶的曝光将从底部开始,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量,从而很容易控制曝光剂量和SU8胶结构的内应力.实验结果表明,该方法能够得到高宽比为32的SU8结构,而文献报道的SU8胶结构的高宽比最大仅为18.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭良强	中国科学院高能物理研究所	24	141	7.0	11.0
2	张菊芳	中国科学院高能物理研究所	21	136	6.0	11.0
3	韩勇	中国科学院高能物理研究所	67	1000	16.0	30.0
4	伊福廷	中国科学院高能物理研究所	38	150	6.0	10.0
5	缪鹏		1	12	1.0	1.0