非晶FeCoSiB磁弹性薄膜的应力阻抗效应

• 作者: 张万里 张文旭 彭斌 易朋 杨国宁 蒋洪川
• 来源期刊: 传感器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 磁弹性薄膜 应力阻抗 FeCoSiB
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 研究动态
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TM277
• 字数: 1855字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-883X.2004.11.003

摘要

磁弹性薄膜中的应力阻抗效应有望在高灵敏应力/应变传感器中得到应用,这引起了人们的广泛研究兴趣.我们利用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜,并在真空中退火以获得较好的磁弹性,接着在200kHz～1 0MHz范围内测试了薄膜的应力阻抗效应.结果表明,退火可增强磁弹性薄膜的应力阻抗效应,并且FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层薄膜比FeCoSiB薄膜具有更高的应力阻抗效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川		74	586	12.0	19.0
2	张万里		142	705	13.0	17.0
3	彭斌		87	638	12.0	21.0
4	张文旭		35	302	9.0	16.0
5	杨国宁		1	7	1.0	1.0
6	易朋		1	7	1.0	1.0