超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性

• 作者: 俞大鹏 冯孙齐 张国义 张洪洲 徐军 朱彦武 陈喜红 陈耀锋
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶SiO2 纳米线阵列 光致荧光
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 173-177
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 1701字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.02.014

摘要

以液态金属Ga作为催化剂合成了大量的非晶SiO2纳米线阵列.这些纳米线具有高度取向性,直径分布均匀,平均约8 nm,长度大于300μm.研究发现,载气的湿度对非晶SiO2纳米线阵列的生长有重大影响,提出了一种可能的生长模型,以解释这一与传统的VLS机制不同的生长过程.对样品的光致荧光(PL)谱的测量表明,非晶SiO2纳米线阵列在蓝光波段附近存在两个很强且稳定的发射峰,它们直接与样品中的缺陷和空位有关.首次发现了一个稳定的PL峰,存在于红外波段,作为光源,非晶SiO2纳米线阵列可能会在纳米光电子器件中得到应用.由于SiO2是传统的光纤材料,单根SiO2纳米线也有希望应用于近场光学扫描显微镜(SNOM)之中.