射频功率晶体管的多晶硅二氧化硅夹心深槽场限制环新结构

• 作者: 傅军 刘理天 王军军 齐臣杰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 击穿电压 场限制环 射频功率器件 夹心槽
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1398-1402
• 页数: 5页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 1158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.11.010

摘要

提出一种二氧化硅/多晶硅/二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压.模拟结果显示,该结构可以使射频功率双极性晶体管的击穿电压几乎100%达到平行平面结的理想值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子所	230	1519	19.0	23.0
2	傅军	海南师范大学物理系	44	137	6.0	10.0
3	齐臣杰	海南师范大学物理系	5	50	4.0	5.0
4	王军军	清华大学微电子所	1	2	1.0	1.0