现代光刻技术

• 作者: 叶甜春 陈大鹏
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻 分辨力 X射线光刻技术 电子束直写 极紫外线投影光刻 离子束投影光刻
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 新一代同步辐射技术及应用
• 页码范围: 81-86
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 6347字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2004.02.001

摘要

作为当前集成电路制造的主流技术,光学光刻在趋近其分辨力极限的同时,面临着越来越大的挑战,即便在波前工程和分辨力增强技术的帮助下,光学光刻的分辨力也难以满足快速发展的半导体产业的技术需求.接近式X射线光刻技术(XRL)、散射角限制电子束投影光刻技术(SCALPEL)、电子束直写光刻技术(EBDW)、极紫外线即软X射线投影光刻技术(EUVL)、离子投影光刻技术(IPL)等下一代光刻技术(NGL)将会在特征线宽为100-70 nm的技术节点介入集成电路制造的主流技术中.从目前NGL技术发展的趋势和市场需求的多元化来看,竞争的结果很可能是各种NGL技术并存.当特征尺寸进入纳米尺度(≤100nm)以后,最终只有那些原子级的成像技术才能成为胜者.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶甜春	中国科学院微电子中心	200	911	14.0	18.0
2	陈大鹏	中国科学院微电子中心	79	466	10.0	17.0