硅衬底上PZT薄膜的制备及其特性分析

• 作者: 杨莺 赵高扬 陈治明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 溶胶-凝胶 锆钛酸铅 钙钛矿相 电滞回线
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 404-409
• 页数: 6页
• 分类号: TN104.2
• 字数: 4007字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.009

摘要

利用溶胶-凝胶提拉技术在低阻硅衬底上以钛酸铅(PT)作缓冲层,成功地制备了锆钛酸铅(PZT)高介电常数介质膜,其锆钛组分比为45∶55.研究了薄膜结晶状态与制备条件的关系及相应的介电、铁电特性.结果表明,用这种方法制备的PZT薄膜在800℃退火15min晶化已相当完善,以(110)为择优取向;这些样品的结晶尺度根据衍射峰的半高宽估计为14～25nm左右;采用Sawyer-Tower电路和LCR电桥测试法获得的结果表明,经过800℃退火15min的PZT样品,其剩余极化强度为47.7μC/cm2,矫顽场强为18kV/cm,介电常数为158,损耗因子为0.04～0.055.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵高扬	西安理工大学材料物理与化学系	72	349	10.0	14.0
2	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
3	杨莺	西安理工大学电子工程系	11	48	5.0	6.0