离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模

• 作者: 付圣贵 宋晏蓉 张志刚 李强 王勇刚 范万德 董孝义 袁树忠 马骁宇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入GaAs 掺镱光纤激光器 被动调Q锁模
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 1810-1814
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2840字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.06.037

摘要

用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模.离子注入的能量为400keV的As+离子,注入剂量为1016/cm2,然后在600℃下退火20min.当抽运功率为5W时,脉冲平均输出功率为200mW,调Q包络重复频率为50kHz,半高宽为4μs,锁模脉冲重复频率为15MHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁树忠	南开大学现代光学研究所	109	1665	20.0	33.0
2	董孝义	南开大学现代光学研究所	296	5721	37.0	55.0
3	马骁宇	中国科学院半导体研究所	93	616	12.0	21.0
4	李强	南开大学现代光学研究所	110	1376	22.0	33.0
5	王勇刚	中国科学院半导体研究所	37	279	10.0	14.0
6	宋晏蓉	北京工业大学应用数理学院	36	176	5.0	12.0
7	付圣贵	南开大学现代光学研究所	12	141	7.0	11.0
8	范万德	南开大学现代光学研究所	28	191	8.0	12.0