高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响

• 作者: 侯识华 叶晓军 宋国峰 康香宁 陈良惠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlxGa1-xAs湿氮选择氧化 微区光致发光谱 垂直腔面发射激光器
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 589-593
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.05.021

摘要

针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响,结合器件结构设计确定了氧化限制层AlxGa1-x-As的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯识华	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	12	124	5.0	11.0
2	陈良惠	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	59	338	11.0	15.0
3	宋国峰	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	22	88	6.0	8.0
4	康香宁	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	4	21	2.0	4.0
5	叶晓军	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心	11	50	4.0	7.0