溅射技术在制备SiC薄膜中的应用

• 作者: 刘技文 孙永昌 李娟 王玉红
• 来源期刊: 天津理工学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 溅射技术 SiC薄膜 制备
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 22-27
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 7785字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-095X.2004.03.006

摘要

近20年以来,薄膜科学得到迅速发展,不仅得益于薄膜材料可能具有力、热、光、电、磁、仿生或化学等各种特性,可以使器件小型化,而且也得益于各种薄膜制备手段的进步.其中,溅射技术已成为几种重要的制备薄膜的手段之一.广泛应用于制备超硬涂层、耐磨涂层、耐腐蚀涂层以及具有电学、光学、半导体等性质的薄膜,SiC薄膜就是其中很有发展前景的一种.本文将介绍溅射原理、薄膜制备技术,着重介绍溅射法在制备SiC薄膜中的应用和前景展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙永昌	天津理工学院材料科学与工程学院	16	180	8.0	13.0
2	刘技文	天津理工学院材料物理所	25	91	5.0	8.0
6	李娟	天津理工学院材料物理所	12	92	5.0	9.0
7	王玉红	天津理工学院材料科学与工程学院	11	151	7.0	11.0