干法腐蚀在硅微波功率晶体管研制中的应用

• 作者: 张大立 潘宏菽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 干法腐蚀 各向异性 微波功率晶体管 硅
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 专题报道(分立器件工艺与发展)
• 页码范围: 75-77
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2218字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.05.023

摘要

干法腐蚀与传统的湿法腐蚀相比,具有明显的各向异性,并且具有较好的可重复性、可控性及在硅片加工中易实现连续生产等优点,已成为目前硅微波功率晶体管研制和生产的关键技术.本文对目前干法腐蚀在硅微波大功率晶体管中的应用进行了分析,指出随着硅微波功率晶体管工作频率的不断提高,对高性能各向异性的干法腐蚀技术要求也更加迫切.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘宏菽	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	26	3.0	4.0
2	张大立	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	2	1.0	1.0