GaN基肖特基结构紫外探测器

• 作者: 伍墨 刘宗顺 张书明 朱建军 李娜 杨辉 段俐宏 王俊 赵德刚 金瑞琴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 肖特基结构 紫外探测器 响应度
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 711-714
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.019

摘要

在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线.该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,在10V偏压时暗电流为38.5nA.在零偏压下,该紫外探测器在250nm～365nm的波长范围内有较高的响应度,峰值响应度在363nm波长处达到0.12A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边;当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右),探测器的响应度减小了三个数量级以上.该紫外探测器的响应时间小于2μs.