硅衬底上共面线的特性及应用

• 作者: 代文亮 李富华 李征帆 王玉洋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共面线 深亚微米CMOS集成电路 高速限幅放大器
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1181-1185
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2701字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.026

摘要

基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究,提出了硅衬底上传输线分布参数的提取方法和减小共面线衰减的一些设计准则.成功地将共面线应用在深亚微米高速集成电路的设计中,并给出了放大器芯片和共面线的测试结果.测试结果表明:在深亚微米CMOS高速集成电路中,用共面线实现电感是一种行之有效的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李征帆	上海交通大学电子工程系	83	533	13.0	18.0
2	王玉洋	上海交通大学电子工程系	3	28	3.0	3.0
3	李富华	河南师范大学电子信息工程系	8	87	5.0	8.0
7	代文亮	上海交通大学电子工程系	3	20	3.0	3.0