MOCVD法生长SAWF用ZnO/Diamond/Si多层结构

• 作者: 刘博阳 刘大力 张源涛 杜国同 杨天鹏 杨晓天 杨洪军 王新强 赵佰军 马艳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 声表面波薄膜 X射线衍射 扫描探针显微镜
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 313-316
• 页数: 4页
• 分类号: O422|O472.3
• 字数: 1715字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.03.019

摘要

使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石/硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化.XRD测试显示优化后的样品具有c轴的择优取向生长,PL谱测试表明样品经优化后不仅深能级发射峰消失,同时紫外发射峰增强.对优化后的样品的表面测试显示出较低的表面粗糙度.比较氧化锌多层薄膜结构的声表面波频散曲线,ZnO薄膜声表面滤波器受膜厚和衬底材料的影响较大.当ZnO薄膜较薄时,在它上面的传播速度将与衬底上的传播速度接近,与其他衬底上生长的薄膜相比,以金刚石这种快声速材料为衬底的ZnO多层薄膜结构,声表面波滤波器的中心频率将提高1倍左右.