抑制亚微米NMOS穿通效应的Taurus WorkBench--TCAD优化

• 作者: 李惠军 李静
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 集成工艺的计算机仿真:超深亚微米 n沟道金属氧化物半导体器件
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 12-14,29
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2779字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.09.004

摘要

Taurus WorkBench是用于超深亚微米层次下的TCAD一体化仿真优化平台.在介绍了TWB的主要功能及实施要点之后,以亚微米NMOSFET器件的阈值电压及源漏穿通电压为响应变量,采用DOE方法进行仿真,并以仿真结果阐述了注入剂量及注入能量对阈值电压`和源漏穿通电压Vbrk的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李静	山东大学信息科学与工程学院	218	1773	24.0	35.0
2	李惠军	山东大学信息科学与工程学院	51	103	5.0	7.0