适用于万兆以太网10GBASE-X的全集成单片CMOS压控振荡器

• 作者: 孙玲 孟凡生 朱恩 王志功 程树东
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 压控振荡器 万兆以太网 模拟电路 互补金属氧化物半导体工艺
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 224-227
• 页数: 4页
• 分类号: TN432|TN75
• 字数: 2084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.02.003

摘要

给出了一个适用于万兆以太网IEEE802.3ae 10GBASE-X的高线性度全集成单片环形压控振荡器电路.该压控振荡器采用TSMC 0.18 μm CMOS混合信号工艺设计制造,由四级差分延时单元和输出驱动电路组成,芯片总面积为0.3×0.4 mm2.芯片采用1.8 V单电源供电,测得带直接耦合差分50 Ω负载时的总功耗为78 mW,单端输出功率为10.2 dBm,振荡频率在2.8～4.0 GHz有非常好的压控线性度,在振荡器中心频率为3.125 GHz时的单边带相位噪声为-96 dBc/Hz·10 MHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	朱恩	东南大学射频与光电集成电路研究所	64	419	9.0	16.0
3	孙玲	东南大学射频与光电集成电路研究所	14	64	6.0	7.0
4	孟凡生	东南大学射频与光电集成电路研究所	6	20	3.0	4.0
5	程树东	东南大学射频与光电集成电路研究所	5	21	3.0	4.0