掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响

• 作者: 刘鲁 范广涵 陈练辉 陈贵楚
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInP Al组分 p型掺杂 发光效率
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 379-382
• 页数: 4页
• 分类号: TN209
• 字数: 2827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.04.009

摘要

在AlGaInP四元系双异质结发光二极管(DH-LED)的材料生长过程中,限制层的Al组分与p型掺杂浓度的确定有较大的随意性,这对LED的发光不利.通过分析载流子在发光二极管(LED)双异质结中的输运情况,得到了在不同的p型掺杂程度下,限制层Al组分与LED发光效率的关系,从而可以探索p型掺杂与Al组分对发光效率影响的规律,得到的结论对于LED的器件结构设计以及MOCVD材料生长有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	陈贵楚	华南师范大学光电子材料与技术研究所	18	46	5.0	6.0
3	陈练辉	华南师范大学光电子材料与技术研究所	11	27	3.0	4.0
4	刘鲁	华南师范大学光电子材料与技术研究所	5	19	3.0	4.0